矽晶圓

台積公司堅持技術自主，奠定全球技術領導地位，提供專業積體電路製造服務領域中最先進及最完備的技術與服務。

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台積公司的3奈米（N3）製程技術將是5奈米（N5）製程技術之後的另一個全世代製程，在N3製程技術推出時將會是業界最先進的製程技術，具備最佳的PPA及電晶體技術。相較於N5製程技術，N3製程技術的邏輯密度將增加約70%，在相同功耗下速度提升10-15%，或者在相同速度下功耗降低25-30%。N3製程技術的開發進度符合預期且進展良好，未來將提供完整的平台來支援行動通訊及高效能運算應用，預期2021年將接獲多個客戶產品投片。此外，預計於2022下半年開始量產。

3奈米製程

5奈米製程

5奈米（N5）鰭式場效電晶體（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）製程技術是台積公司第二代使用極紫外光（EUV）技術的製程，協助客戶實現行動通訊及高效能運算應用等產品的創新。作為業界最先進的解決方案，N5技術擁有最佳的效能、功耗及面積（PPA），相較於7奈米（N7）技術，N5技術速度增快約20%，或者功耗降低約40%。能夠進一步擴大台積公司的客戶產品組合，並且拓展台積公司的潛在市場。

台積公司的7奈米鰭式場效電晶體（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）製程技術提供專業積體電路造服務領域最具競爭力的邏輯閘密度（Logic density），並領先業界於2016年6月成功產出良率達到2位數的256Mb的靜態隨機存取記憶體，已於2017年四月開始試產，並於2018年底接獲超過四十個客戶產品投片,且預計於2019年取得超過100件新的客戶產品設計訂案,而第二代7 奈米（N7+）技術於2018年8月開始試產，將成為業界第一個商用EUV 製程技術。

7奈米製程

10奈米製程

台積公司的10奈米鰭式場效電晶體製程技術（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）締造專業積體電路製造服務領域在效能、功耗及面積（Performance，Power，Area；PPA）及推出時程最具綜合競爭優勢的里程碑，自2016年第一季開始接受客戶的產品設計定案，並於2017年初開始大量出貨，成功的支援了主要客戶新推出的行動產品。

由於採取更積極的製程微縮，台積公司10奈米FinFET製程技術較16奈米FinFET製程技術，在邏輯閘密度（Logic Density）提高2倍，速度增快約15%，功耗降低35%。此一技術延續FinFET製程技術的革命性優勢，能夠協助客戶達到最佳密度與功耗。

台積公司的10奈米FinFET製程技術能夠支援客戶包括應用處理器、行動通訊基頻，以及特殊應用晶片（ASIC）的應用。

22奈米超低功耗製程技術（22nm Ultra-Low Power, 22ULP）發展係根基於台積公司領先業界的28奈米製程，並於2018年第四季完成所有製程驗證。與28奈米高效能精簡型製程技術（28nm High Performance Compact，28HPC）相較，22ULP技術擁有晶片面積縮小10%，及效能提升超過30%或功耗降低超過30%的優勢，以滿足影像處理器、數位電視、機上盒、智慧型手機及消費性產品等應用。

22奈米超低漏電製程技術（22nm Ultra-Low Leakage, 22ULL）已順利完成開發並於2018年第四季按計劃開始試產，能夠支援物聯網及穿戴式裝置相關產品應用。與40奈米ULP及55奈米ULP製程相較，新的ULL元件和ULL靜態隨機存取記憶體（Static Random Access Memory, SRAM）可以大幅降低功耗。

22奈米製程

28奈米製程

台積公司於2011年領先專業積體電路製造服務領域推出28奈米泛用型（General Purpose）製程技術，並針對客戶需求提供業界最完備多樣的28奈米製程選項，為客戶生產更高效能、更節能及更環保的晶片產品。

台積公司28奈米製程技術具備高效能、低功耗等優勢，並與台積公司28奈米的設計生態環境無縫接軌，以協助客戶加速產品上市時間，能夠支援客戶包括中央處理器、圖像處理器、高速網路晶片、智慧型手機、應用處理器（AP）、平板電腦、家庭娛樂、數位消費性電子產品、車用裝置及物聯網等產品應用。

此外，台積公司領先全球的28奈米製程技術以採用高介電層／金屬閘極（High-k Metal Gate，HKMG）的後閘極（Gate-last）技術為主。相較於前閘極（Gate-first）技術，後閘極技術具備較低的漏電流以及能提供更佳的晶片效能等優勢。

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